Samsung meldt de massaproductie van consumenten-ssd's met sata-interface op basis van quad-level cell-nand gestart te zijn. Later dit jaar wil de fabrikant 2,5"-versies van de ssd's van 1TB, 2TB en 4TB op de markt brengen.

Samsung gebruikt 32 1Tb v-nand-chips met 64 lagen om de 4TB-drives op te bouwen. De ssd's bieden een sequentiële leessnelheid van 540MB/s en een sequentiële schrijfsnelheid van 520MB/s, waarmee de prestaties van de qlc-ssd's volgens de fabrikant in lijn liggen met de tlc-varianten. Met de nieuwe generatie v-nand zegt Samsung ook efficiënt 128GB-geheugenkaarten voor smartphones te kunnen maken.

Samsung meldt niet op welk productieprocedé de geheugenchips gemaakt worden, alleen dat het om v-nand van de vierde generatie gaat. Later dit jaar wil het bedrijf starten met de productie van v-nand van de vijfde generatie, die voor hogere en betrouwbaardere prestaties moet zorgen en vooral voor datacenters, servers en enterprise-opslag bedoeld is.

Bij zijn quad-level cell-nand slaat Samsung vier bits per geheugencel op, wat een efficiënte manier is om meer capaciteit voor relatief lage prijzen te bieden. Het vergroten van het aantal bits per geheugencel gaat over het algemeen wel ten koste van prestaties en de levensduur.

Jaar

Bit

Nodes

Chipcapaciteit

Drivecapaciteit

2006

1-bit slc (single-level cell) 70nm-class 4Gb 32GB

2010

2-bit mlc (multi-level cell) 30nm-class 32Gb 512GB

2012

3-bit tlc (triple-level cell) 20nm-class 64Gb 500GB

2018

4-bit qlc (quad-level cell) 4e generatie v-nand 1Tb 4 TB